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씨앤지하이테크 00605328
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17
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80
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주요 제품
주요 제품
| 제품 | 사업부문 | 매출 비중 |
|---|---|---|
| 아직 추출된 주요 제품 정보가 없습니다. | ||
산업 노출
-
주요 고객 / 공급사
주요 고객
- -
주요 공급사
최근 공급망 이벤트
| 공시일 | 유형 | 상대 | 금액 | |
|---|---|---|---|---|
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 1,216억 8,600만원 (121,686,000,000원) | 정정 |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH | 1,492억 8,900만원 (149,289,000,000원) | 정정 |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 58억 5,400만원 (5,854,000,000원) | 정정 |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 1조 1,346억 7,400만원 (1,134,674,000,000원) | 정정 |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 26억 4,200만원 (2,642,000,000원) | 정정 |
기업개요
- 대표자
- 홍사문, 홍중선 (각자 대표이사)
- 업종
- 29271
- 설립일
- 20020716
- 주소
- 경기도 안성시 원곡면 승량길 162  
- 홈페이지
- www.cnghitech.com
- 종목코드
- 264660
재무 (연결 우선 · 단위는 위 금액 단위 선택을 따름) 출처: DART
| 지표 | 2025-FY CFS | 2025-Q3 CFS | 2024-FY CFS | 2023-FY CFS | 2026-07-29 |
|---|---|---|---|---|---|
| 손익 | |||||
| 매출액 | 196194330780.0000 | 20454192656.0000 | 151187855593.0000 | 166725521459.0000 | — |
| 영업이익 | 24742314123.0000 | 6796963628.0000 | 12940400218.0000 | 12740846167.0000 | — |
| 세전계속사업이익 | 24993457265.0000 | 7930742242.0000 | 9379689203.0000 | 14601670600.0000 | — |
| 당기순이익 | 19531732026.0000 | 6142108408.0000 | 6884277418.0000 | 12833684433.0000 | — |
| 당기순이익(지배) | 19531732026.0000 | 6142108408.0000 | 6884277418.0000 | 12833684433.0000 | — |
| 재무상태 | |||||
| 자산총계 | 197506673607.0000 | 181404579257.0000 | 189197867530.0000 | 160314920158.0000 | — |
| 부채총계 | 54349361066.0000 | 49244326920.0000 | 68507982917.0000 | 49308780724.0000 | — |
| 자본총계 | 143157312541.0000 | 132160252337.0000 | 120689884613.0000 | 111006139434.0000 | — |
| 자본총계(지배) | 143157312541.0000 | 132160252337.0000 | 120689884613.0000 | 111006139434.0000 | — |
| 자본금 | 4860586000.0000 | 4860586000.0000 | 4813948000.0000 | 4609042500.0000 | — |
| 현금흐름 | |||||
| 영업활동현금흐름 | 14890487095.0000 | 22872001377.0000 | 819856408.0000 | 26847114792.0000 | — |
| 투자활동현금흐름 | -17497041339.0000 | -19817906732.0000 | -14986904336.0000 | -7041672428.0000 | — |
| 재무활동현금흐름 | -7562029514.0000 | -7406712340.0000 | 8404830983.0000 | -3474209342.0000 | — |
| CAPEX | 6795381463.0000 | 5637398278.0000 | 5049251882.0000 | 15829431833.0000 | — |
| FCF | 8095105632.0000 | 17234603099.0000 | -4229395474.0000 | 11017682959.0000 | — |
| 이자발생부채 | — | 13500000000.0000 | 8000000000.0000 | 3500000000.0000 | — |
| 비율 | |||||
| 영업이익률 | 12.61% | 33.23% | 8.56% | 7.64% | — |
| 순이익률 | 9.96% | 30.03% | 4.55% | 7.70% | — |
| ROE | 13.64% | 4.65% | 5.70% | 11.56% | — |
| ROA | 9.89% | 3.39% | 3.64% | 8.01% | — |
| 부채비율 | 37.96% | 37.26% | 56.76% | 44.42% | — |
| 자본유보율 | 2722.36% | 2570.56% | 2357.44% | 2245.06% | — |
| 주당·시장 | |||||
| EPS | 2078.0000 | 654.0000 | 746.0000 | 1507.0000 | — |
| BPS | 14726.0000 | 13595.0000 | 12535.0000 | 12042.0000 | — |
| PER | — | — | — | — | — |
| PBR | — | — | — | — | — |
| 현금DPS | 550.0000 | — | — | — | — |
| 현금배당수익률 | 2.70% | — | — | — | — |
| 현금배당성향 | 26.50% | — | — | — | — |
| 발행주식수(보통주) | 9721172.0000 | 9721172.0000 | 9627896.0000 | 9218085.0000 | — |
| 시가총액 | — | — | — | — | 101780670840.0000 |
애널리스트 컨센서스 커버 1개 증권사 · 최근 2026-07-15 · 180일 · 단일 추정
—원
컨센서스 목표주가
—
상승여력
전일 종가 10,470원 · 2026-07-29 · 거래량 93,443주
매수 0 · 중립 0 · 매도 0
투자의견 분포
추정변동 ▲0 · ▼0
| 증권사 | 애널리스트 | 일자 | 의견 | 목표가 | 변동 |
|---|---|---|---|---|---|
| — | — | 2026-07-15 | — | — | – |
확정 관계 19건
| 유형 | 상대 회사 | 방향 | 품질 | 상태 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 관계회사 | 엠베스트 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | 주식회사 인투시 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 나가세엔지니어링서비스코리아 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | SK하이닉스 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Samsung Austin Semiconductor LLC. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 상대→기준 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 상대→기준 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 다이킨첨단머티리얼즈코리아 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | 엠베스트 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 대신-캘리버신기술투자조합제1호 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
후보 관계 95건
추론된 관계입니다 — 확정 아님. 품질·상태를 참고하세요.
| 유형 | 상대 회사 | 방향 | 품질 | 상태 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 관계회사 | 엠베스트 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | 엠베스트 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | 주식회사 인투시 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 관계회사 | 주식회사 인투시 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 나가세엔지니어링서비스코리아 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | SK하이닉스 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 삼성전자 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Samsung Austin Semiconductor LLC. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Samsung Austin Semiconductor LLC. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | 에스에이티 유사매칭 | 상대→기준 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 공급계약 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 공급계약 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 상대→기준 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 상대→기준 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 상대→기준 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | Nagase C&G Technology 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 공급계약 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 상대→기준 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 다이킨첨단머티리얼즈코리아 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | 엠베스트 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | 엠베스트 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | 에스에이티 유사매칭 | 기준→상대 | C 주의 | 후보 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH USA INC 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. 미식별 | 기준→상대 | B 양호 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 대신-캘리버신기술투자조합제1호 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
| 지분투자 | 홍사문 | 기준→상대 | A 확정적 | 확정 | 근거 |
근거
이 회사의 관계를 뒷받침하는 DART/SEC 원문 근거입니다.
| 공시일 | 관계 | 상대 | 섹션 | 원문 근거 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-07-06 | 공급계약 | 에스에이티 | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=주식회사 디에스에이티; 매출=162,240; 매입=6,000 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | 에스에이티 | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=주식회사 디에스에이티; 매출=131,489; 매입=- (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | 에스에이티 | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=주식회사 디에스에이티; 매출=162,240; 매입=6,000 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 3. 연결재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=2,642; 매입=- (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 3. 연결재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=8,782; 매입=121,686 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=8,782; 매입=121,686 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=8,782; 매입=121,686 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 3. 연결재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=8,782; 매입=121,686 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=C&G HITECH USA INC; 매출=-; 매입=1,134,674 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=C&G HITECH; 매출=149,289; 매입=- (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=2,642; 매입=- (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=C&G HITECH USA INC; 매출=5,854; 매입=1,595,137 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=C&G HITECH USA INC; 매출=5,854; 매입=1,595,137 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=8,782; 매입=121,686 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=C&G HITECH; 매출=149,289; 매입=- (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=C&G HITECH USA INC; 매출=5,854; 매입=1,595,137 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | C&G HITECH USA INC | 5. 재무제표 주석 | 특수관계자 매입: 특수관계자=C&G HITECH USA INC; 매출=-; 매입=1,134,674 (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 공급계약 | Nagase C&G Technology | 3. 연결재무제표 주석 | 특수관계자 매출: 특수관계자=Nagase C&G Technology; 매출=2,642; 매입=- (사업보고서 특수관계자와의 거래) |
| 2026-07-06 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=경기도 안성시 원곡면승량길 183; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2026-07-06 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=7600 Chevy Chase Drive,Suite 300, Austin, TX, 78752; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2026-07-06 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=Room 504C, 5th Floor, Xifeng Square,Southwest Corner of Xifeng Road and Guoduxi Street, Gaoxin District, Xi'an City, Shaanxi Province; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2026-07-06 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=Room 504C, 5th Floor, Xifeng Square,Southwest Corner of Xifeng Road and Guoduxi Street, Gaoxin District, Xi'an City, Shaanxi Province; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2026-07-06 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=7600 Chevy Chase Drive,Suite 300, Austin, TX, 78752; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2026-07-06 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=34.36%; (DART dart.holding.major 20260706000281) |
| 2026-07-06 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=34.36%; (DART dart.holding.major 20260706000281) |
| 2026-07-06 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=34.36%; (DART dart.holding.major 20260706000281) |
| 2026-06-29 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=20,374,800,000; 기간=2026-06-27~2026-11-30 |
| 2026-06-29 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=20,374,800,000; 기간=2026-06-27~2026-11-30 |
| 2026-06-26 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=34.36%; (DART dart.holding.major 20260626000617) |
| 2026-06-04 | 지분투자 | 다이킨첨단머티리얼즈코리아 | - | 발행회사=다이킨첨단머티리얼즈코리아(주); 취득금액=None; 지분비율=0; 목적=신공장 건설에 따른 시설자금 확보 |
| 2026-06-04 | 지분투자 | 다이킨첨단머티리얼즈코리아 | - | 발행회사=다이킨첨단머티리얼즈코리아(주); 취득금액=None; 지분비율=0; 목적=신공장 건설에 따른 시설자금 확보 |
| 2026-05-15 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2026-05-15 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2026-05-15 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2026-04-27 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=35.58%; (DART dart.holding.major 20260427000568) |
| 2026-04-13 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=38,149,060,000; 기간=2026-04-10~2026-11-30 |
| 2026-03-23 | 관계회사 | 엠베스트 | 타법인 출자현황 | 법인명=엠베스트 주식회사; 지분율=30.0%; 장부가액=423,136,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | 엠베스트 | 타법인 출자현황 | 법인명=엠베스트 주식회사; 지분율=30.0%; 장부가액=423,136,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd | 타법인 출자현황 | 법인명=Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd; 지분율=30.0%; 장부가액=212,997,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd | 타법인 출자현황 | 법인명=Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd; 지분율=21.6%; 장부가액=7,106,138,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | 주식회사 인투시 | 타법인 출자현황 | 법인명=주식회사 인투시; 지분율=23.1%; 장부가액=638,428,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd | 타법인 출자현황 | 법인명=Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd; 지분율=21.6%; 장부가액=7,106,138,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | 주식회사 인투시 | 타법인 출자현황 | 법인명=주식회사 인투시; 지분율=23.1%; 장부가액=638,428,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 관계회사 | Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd | 타법인 출자현황 | 법인명=Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd; 지분율=30.0%; 장부가액=212,997,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 타법인 출자현황 | 법인명=C&G HITECH USA INC; 지분율=100.0%; 장부가액=972,370,000; 목적=경영참여 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 타법인 출자현황 | 법인명=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 지분율=100.0%; 장부가액=93,167,000; 목적=경영참여 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 종속회사 | 에스에이티 | 타법인 출자현황 | 법인명=주식회사 디에스에이티; 지분율=100.0%; 장부가액=-; 목적=경영참여 (사업보고서 타법인출자현황 2025) |
| 2026-03-23 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2026-03-23 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2026-03-23 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2026-03-19 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20260319000250) |
| 2026-02-09 | 공급계약 | SK하이닉스 | - | 계약상대방=SK하이닉스; 계약금액=19,455,120,000; 기간=2026-02-06~2026-02-28 |
| 2026-02-09 | 공급계약 | SK하이닉스 | - | 계약상대방=SK하이닉스; 계약금액=19,455,120,000; 기간=2026-02-06~2026-02-28 |
| 2026-01-27 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20260127000001) |
| 2026-01-14 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20260114000341) |
| 2026-01-05 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20260105000332) |
| 2025-12-24 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20251224000678) |
| 2025-11-13 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2025-11-13 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2025-11-13 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2025-08-13 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2025-08-13 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2025-08-13 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2025-07-03 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20250703000340) |
| 2025-05-15 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2025-05-15 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2025-05-15 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2025-04-16 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20250416000357) |
| 2025-04-14 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=65,360,600,000; 기간=2025-02-18~2025-12-31 |
| 2025-04-07 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.61%; (DART dart.holding.major 20250407002842) |
| 2025-03-21 | 관계회사 | 엠베스트 | 타법인 출자현황 | 법인명=엠베스트 주식회사; 지분율=30.0%; 장부가액=253,959,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 관계회사 | Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd | 타법인 출자현황 | 법인명=Nagase C&G Technology (Shanghai) Co., Ltd; 지분율=30.0%; 장부가액=269,869,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 관계회사 | Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd | 타법인 출자현황 | 법인명=Daikin Advanced Materials Korea, Co., Ltd; 지분율=21.6%; 장부가액=10,425,018,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 관계회사 | 주식회사 인투시 | 타법인 출자현황 | 법인명=주식회사 인투시; 지분율=23.1%; 장부가액=673,468,000; 목적=투자 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 타법인 출자현황 | 법인명=C&G HITECH USA INC; 지분율=100.0%; 장부가액=972,370,000; 목적=경영참여 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 타법인 출자현황 | 법인명=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 지분율=100.0%; 장부가액=93,167,000; 목적=경영참여 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 종속회사 | 에스에이티 | 타법인 출자현황 | 법인명=주식회사 디에스에이티; 지분율=100.0%; 장부가액=-; 목적=경영참여 (사업보고서 타법인출자현황 2024) |
| 2025-03-21 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2025-03-21 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2025-03-21 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2025-02-21 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자; 계약금액=8,494,000,000; 기간=2025-02-20~2025-05-03 |
| 2025-02-19 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=65,360,600,000; 기간=2025-02-18~2025-04-18 |
| 2025-02-10 | 지분투자 | 대신-캘리버신기술투자조합제1호 | 지분공시 | 보유자=대신-캘리버신기술투자조합제1호; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=2.62%; (DART dart.holding.major 20250210000637) |
| 2025-02-10 | 지분투자 | 대신-캘리버신기술투자조합제1호 | 지분공시 | 보유자=대신-캘리버신기술투자조합제1호; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=2.62%; (DART dart.holding.major 20250210000637) |
| 2025-02-04 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.59%; (DART dart.holding.major 20250204000212) |
| 2024-12-30 | 지분투자 | 홍사문 | 지분공시 | 보유자=홍사문; 발행회사=씨앤지하이테크; 보유비율=36.59%; (DART dart.holding.major 20241230000493) |
| 2024-12-18 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=13,912,800,000; 기간=2024-12-17~2025-06-30 |
| 2024-11-14 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및 이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2024-11-14 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2024-11-14 | 종속회사 | C&G HITECH (Xian) Co., Ltd. | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH (Xian) Co., Ltd.; 소재지=None; 주요사업=반도체 화학약품 장치유지보수; 지분율=None |
| 2024-08-13 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및 이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2024-08-13 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2024-08-09 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=22,302,800,000; 기간=2024-08-09~2024-12-30 |
| 2024-05-16 | 종속회사 | 엠베스트 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=엠베스트 주식회사; 소재지=None; 주요사업=반도체 제조용 기계 제조업; 지분율=None |
| 2024-05-16 | 종속회사 | 엠베스트 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=엠베스트 주식회사; 소재지=None; 주요사업=반도체 제조용 기계 제조업; 지분율=None |
| 2024-05-16 | 종속회사 | 에스에이티 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=주식회사 디에스에이티; 소재지=None; 주요사업=탄소나노융합소재 및 이를 활용한 융합물 제조업; 지분율=None |
| 2024-05-16 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2024-03-20 | 종속회사 | 엠베스트 | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=엠베스트 주식회사; 소재지=None; 주요사업=반도체 제조용 기계 제조업; 지분율=None |
| 2024-03-20 | 종속회사 | C&G HITECH USA INC | 1. 연결대상 종속회사 현황(상세) | 종속회사=C&G HITECH USA INC; 소재지=None; 주요사업=해외시장 서비스 및 판매; 지분율=None |
| 2024-02-08 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=50,911,600,000; 기간=2024-02-08~2024-12-30 |
| 2023-10-30 | 공급계약 | Samsung Austin Semiconductor LLC. | - | 계약상대방=Samsung Austin Semiconductor, LLC.; 계약금액=47,444,000,000; 기간=2023-07-28~2024-03-31 |
| 2023-10-30 | 공급계약 | Samsung Austin Semiconductor LLC. | - | 계약상대방=Samsung Austin Semiconductor, LLC.; 계약금액=47,444,000,000; 기간=2023-07-28~2024-03-31 |
| 2023-08-03 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=48,057,500,000; 기간=2023-08-02~2023-12-29 |
| 2023-07-31 | 공급계약 | Samsung Austin Semiconductor LLC. | - | 계약상대방=Samsung Austin Semiconductor, LLC.; 계약금액=47,444,000,000; 기간=2023-07-28~2023-10-31 |
| 2022-10-25 | 공급계약 | 나가세엔지니어링서비스코리아 | - | 계약상대방=나가세엔지니어링서비스코리아(주); 계약금액=5,091,500,000; 기간=2022-10-25~2023-03-31 |
| 2022-10-25 | 공급계약 | 나가세엔지니어링서비스코리아 | - | 계약상대방=나가세엔지니어링서비스코리아(주); 계약금액=5,091,500,000; 기간=2022-10-25~2023-03-31 |
| 2022-10-24 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=53,481,600,000; 기간=2022-10-21~2022-12-28 |
| 2022-10-12 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=6,241,100,000; 기간=2022-10-11~2023-06-30 |
| 2022-07-22 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=58,238,200,000; 기간=2022-07-21~2022-12-30 |
| 2021-12-14 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=50,682,280,000; 기간=2021-12-13~2022-06-30 |
| 2021-03-29 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=17,349,700,000; 기간=2021-03-26~2021-12-30 |
| 2020-09-25 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=28,333,900,000; 기간=2020-09-24~2020-12-30 |
| 2020-08-25 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=15,055,000,000; 기간=2020-08-24~2020-12-30 |
| 2020-08-19 | 공급계약 | 삼성전자 | - | 계약상대방=삼성전자 주식회사; 계약금액=14,198,700,000; 기간=2020-08-18~2020-12-30 |